Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTH32N65X
MOSFET N-CH 650V 32A TO-247
Číslo dílu
IXTH32N65X
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 (IXTH)
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
135 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2205pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43977 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTH32N65X
IXTH32N65X Elektronické komponenty
IXTH32N65X Odbyt
IXTH32N65X Dodavatel
IXTH32N65X Distributor
IXTH32N65X Datová tabulka
IXTH32N65X Fotky
IXTH32N65X Cena
IXTH32N65X Nabídka
IXTH32N65X Nejnižší cena
IXTH32N65X Vyhledávání
IXTH32N65X Nákup
IXTH32N65X Chip