Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTN600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
Číslo dílu
IXTN600N04T2
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
940W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
600A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.05 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
590nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
40000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20108 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTN600N04T2
IXTN600N04T2 Elektronické komponenty
IXTN600N04T2 Odbyt
IXTN600N04T2 Dodavatel
IXTN600N04T2 Distributor
IXTN600N04T2 Datová tabulka
IXTN600N04T2 Fotky
IXTN600N04T2 Cena
IXTN600N04T2 Nabídka
IXTN600N04T2 Nejnižší cena
IXTN600N04T2 Vyhledávání
IXTN600N04T2 Nákup
IXTN600N04T2 Chip