Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTU1R4N60P

IXTU1R4N60P

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
Číslo dílu
IXTU1R4N60P
Výrobce/značka
Série
PolarHV™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53792 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXTU1R4N60P
IXTU1R4N60P Elektronické komponenty
IXTU1R4N60P Odbyt
IXTU1R4N60P Dodavatel
IXTU1R4N60P Distributor
IXTU1R4N60P Datová tabulka
IXTU1R4N60P Fotky
IXTU1R4N60P Cena
IXTU1R4N60P Nabídka
IXTU1R4N60P Nejnižší cena
IXTU1R4N60P Vyhledávání
IXTU1R4N60P Nákup
IXTU1R4N60P Chip