Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTY18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
Číslo dílu
IXTY18P10T
Výrobce/značka
Série
TrenchP™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26977 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTY18P10T
IXTY18P10T Elektronické komponenty
IXTY18P10T Odbyt
IXTY18P10T Dodavatel
IXTY18P10T Distributor
IXTY18P10T Datová tabulka
IXTY18P10T Fotky
IXTY18P10T Cena
IXTY18P10T Nabídka
IXTY18P10T Nejnižší cena
IXTY18P10T Vyhledávání
IXTY18P10T Nákup
IXTY18P10T Chip