Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTY1R4N120PHV
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXTY1R4N120PHV
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252
Ztráta energie (max.)
86W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
666pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29110 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTY1R4N120PHV
IXTY1R4N120PHV Elektronické komponenty
IXTY1R4N120PHV Odbyt
IXTY1R4N120PHV Dodavatel
IXTY1R4N120PHV Distributor
IXTY1R4N120PHV Datová tabulka
IXTY1R4N120PHV Fotky
IXTY1R4N120PHV Cena
IXTY1R4N120PHV Nabídka
IXTY1R4N120PHV Nejnižší cena
IXTY1R4N120PHV Vyhledávání
IXTY1R4N120PHV Nákup
IXTY1R4N120PHV Chip