Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTY4N65X2
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
Číslo dílu
IXTY4N65X2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252
Ztráta energie (max.)
80W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
850 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
455pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28791 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTY4N65X2
IXTY4N65X2 Elektronické komponenty
IXTY4N65X2 Odbyt
IXTY4N65X2 Dodavatel
IXTY4N65X2 Distributor
IXTY4N65X2 Datová tabulka
IXTY4N65X2 Fotky
IXTY4N65X2 Cena
IXTY4N65X2 Nabídka
IXTY4N65X2 Nejnižší cena
IXTY4N65X2 Vyhledávání
IXTY4N65X2 Nákup
IXTY4N65X2 Chip