Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXYP20N65C3D1M
IGBT 650V 18A 50W TO220
Číslo dílu
IXYP20N65C3D1M
Výrobce/značka
Série
GenX3™, XPT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Výkon - Max
50W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Reverzní doba zotavení (trr)
30ns
Proud – kolektor (Ic) (Max)
18A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
650V
typ IGBT
PT
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
105A
Přechod energie
430µJ (on), 350µJ (off)
Poplatky za bránu
30nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
19ns/80ns
Zkouška stavu
400V, 20A, 20 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26130 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXYP20N65C3D1M
IXYP20N65C3D1M Elektronické komponenty
IXYP20N65C3D1M Odbyt
IXYP20N65C3D1M Dodavatel
IXYP20N65C3D1M Distributor
IXYP20N65C3D1M Datová tabulka
IXYP20N65C3D1M Fotky
IXYP20N65C3D1M Cena
IXYP20N65C3D1M Nabídka
IXYP20N65C3D1M Nejnižší cena
IXYP20N65C3D1M Vyhledávání
IXYP20N65C3D1M Nákup
IXYP20N65C3D1M Chip