Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT25GP120BDQ1G
IGBT 1200V 69A 417W TO247
Číslo dílu
APT25GP120BDQ1G
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 7®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Výkon - Max
417W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 [B]
Reverzní doba zotavení (trr)
-
Proud – kolektor (Ic) (Max)
69A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1200V
typ IGBT
PT
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 25A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
90A
Přechod energie
500µJ (on), 440µJ (off)
Poplatky za bránu
110nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
12ns/70ns
Zkouška stavu
600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45063 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT25GP120BDQ1G
APT25GP120BDQ1G Elektronické komponenty
APT25GP120BDQ1G Odbyt
APT25GP120BDQ1G Dodavatel
APT25GP120BDQ1G Distributor
APT25GP120BDQ1G Datová tabulka
APT25GP120BDQ1G Fotky
APT25GP120BDQ1G Cena
APT25GP120BDQ1G Nabídka
APT25GP120BDQ1G Nejnižší cena
APT25GP120BDQ1G Vyhledávání
APT25GP120BDQ1G Nákup
APT25GP120BDQ1G Chip