Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT25GP90BDQ1G
IGBT 900V 72A 417W TO247
Číslo dílu
APT25GP90BDQ1G
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 7®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Výkon - Max
417W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 [B]
Reverzní doba zotavení (trr)
-
Proud – kolektor (Ic) (Max)
72A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
900V
typ IGBT
PT
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 25A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
110A
Přechod energie
370µJ (off)
Poplatky za bránu
110nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
13ns/55ns
Zkouška stavu
600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15093 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT25GP90BDQ1G
APT25GP90BDQ1G Elektronické komponenty
APT25GP90BDQ1G Odbyt
APT25GP90BDQ1G Dodavatel
APT25GP90BDQ1G Distributor
APT25GP90BDQ1G Datová tabulka
APT25GP90BDQ1G Fotky
APT25GP90BDQ1G Cena
APT25GP90BDQ1G Nabídka
APT25GP90BDQ1G Nejnižší cena
APT25GP90BDQ1G Vyhledávání
APT25GP90BDQ1G Nákup
APT25GP90BDQ1G Chip