Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT25SM120S
POWER MOSFET - SIC
Číslo dílu
APT25SM120S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
D-3 Module
Dodavatelský balíček zařízení
D3
Ztráta energie (max.)
175W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
175 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30556 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT25SM120S
APT25SM120S Elektronické komponenty
APT25SM120S Odbyt
APT25SM120S Dodavatel
APT25SM120S Distributor
APT25SM120S Datová tabulka
APT25SM120S Fotky
APT25SM120S Cena
APT25SM120S Nabídka
APT25SM120S Nejnižší cena
APT25SM120S Vyhledávání
APT25SM120S Nákup
APT25SM120S Chip