Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT30M19JVR
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
Číslo dílu
APT30M19JVR
Výrobce/značka
Série
POWER MOS V®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
700W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
19 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
975nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
21600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34318 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT30M19JVR
APT30M19JVR Elektronické komponenty
APT30M19JVR Odbyt
APT30M19JVR Dodavatel
APT30M19JVR Distributor
APT30M19JVR Datová tabulka
APT30M19JVR Fotky
APT30M19JVR Cena
APT30M19JVR Nabídka
APT30M19JVR Nejnižší cena
APT30M19JVR Vyhledávání
APT30M19JVR Nákup
APT30M19JVR Chip