Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT30M60J
MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
Číslo dílu
APT30M60J
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
355W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
215nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5890pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6458 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT30M60J
APT30M60J Elektronické komponenty
APT30M60J Odbyt
APT30M60J Dodavatel
APT30M60J Distributor
APT30M60J Datová tabulka
APT30M60J Fotky
APT30M60J Cena
APT30M60J Nabídka
APT30M60J Nejnižší cena
APT30M60J Vyhledávání
APT30M60J Nákup
APT30M60J Chip