Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT32M80J
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
Číslo dílu
APT32M80J
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
543W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
303nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9326pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31455 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT32M80J
APT32M80J Elektronické komponenty
APT32M80J Odbyt
APT32M80J Dodavatel
APT32M80J Distributor
APT32M80J Datová tabulka
APT32M80J Fotky
APT32M80J Cena
APT32M80J Nabídka
APT32M80J Nejnižší cena
APT32M80J Vyhledávání
APT32M80J Nákup
APT32M80J Chip