Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT45GP120B2DQ2G
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Číslo dílu
APT45GP120B2DQ2G
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 7®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3 Variant
Výkon - Max
625W
Dodavatelský balíček zařízení
-
Reverzní doba zotavení (trr)
-
Proud – kolektor (Ic) (Max)
113A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1200V
typ IGBT
PT
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 45A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
170A
Přechod energie
900µJ (on), 905µJ (off)
Poplatky za bránu
185nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
18ns/100ns
Zkouška stavu
600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49801 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G Elektronické komponenty
APT45GP120B2DQ2G Odbyt
APT45GP120B2DQ2G Dodavatel
APT45GP120B2DQ2G Distributor
APT45GP120B2DQ2G Datová tabulka
APT45GP120B2DQ2G Fotky
APT45GP120B2DQ2G Cena
APT45GP120B2DQ2G Nabídka
APT45GP120B2DQ2G Nejnižší cena
APT45GP120B2DQ2G Vyhledávání
APT45GP120B2DQ2G Nákup
APT45GP120B2DQ2G Chip