Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT58F50J
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
Číslo dílu
APT58F50J
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
340nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22993 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT58F50J
APT58F50J Elektronické komponenty
APT58F50J Odbyt
APT58F50J Dodavatel
APT58F50J Distributor
APT58F50J Datová tabulka
APT58F50J Fotky
APT58F50J Cena
APT58F50J Nabídka
APT58F50J Nejnižší cena
APT58F50J Vyhledávání
APT58F50J Nákup
APT58F50J Chip