Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT58M50J
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
Číslo dílu
APT58M50J
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
340nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24183 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT58M50J
APT58M50J Elektronické komponenty
APT58M50J Odbyt
APT58M50J Dodavatel
APT58M50J Distributor
APT58M50J Datová tabulka
APT58M50J Fotky
APT58M50J Cena
APT58M50J Nabídka
APT58M50J Nejnižší cena
APT58M50J Vyhledávání
APT58M50J Nákup
APT58M50J Chip