Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT60M80JVR

APT60M80JVR

MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
Číslo dílu
APT60M80JVR
Výrobce/značka
Série
POWER MOS V®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
568W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
870nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33973 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova APT60M80JVR
APT60M80JVR Elektronické komponenty
APT60M80JVR Odbyt
APT60M80JVR Dodavatel
APT60M80JVR Distributor
APT60M80JVR Datová tabulka
APT60M80JVR Fotky
APT60M80JVR Cena
APT60M80JVR Nabídka
APT60M80JVR Nejnižší cena
APT60M80JVR Vyhledávání
APT60M80JVR Nákup
APT60M80JVR Chip