Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT60M80L2VRG
MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
Číslo dílu
APT60M80L2VRG
Výrobce/značka
Série
POWER MOS V®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
264 MAX™ [L2]
Ztráta energie (max.)
833W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
590nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6439 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT60M80L2VRG
APT60M80L2VRG Elektronické komponenty
APT60M80L2VRG Odbyt
APT60M80L2VRG Dodavatel
APT60M80L2VRG Distributor
APT60M80L2VRG Datová tabulka
APT60M80L2VRG Fotky
APT60M80L2VRG Cena
APT60M80L2VRG Nabídka
APT60M80L2VRG Nejnižší cena
APT60M80L2VRG Vyhledávání
APT60M80L2VRG Nákup
APT60M80L2VRG Chip