Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT70SM70B
POWER MOSFET - SIC
Číslo dílu
APT70SM70B
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 [B]
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
70 mOhm @ 32.5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
VGS (max.)
+25V, -10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36302 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT70SM70B
APT70SM70B Elektronické komponenty
APT70SM70B Odbyt
APT70SM70B Dodavatel
APT70SM70B Distributor
APT70SM70B Datová tabulka
APT70SM70B Fotky
APT70SM70B Cena
APT70SM70B Nabídka
APT70SM70B Nejnižší cena
APT70SM70B Vyhledávání
APT70SM70B Nákup
APT70SM70B Chip