Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT75GP120B2G
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Číslo dílu
APT75GP120B2G
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 7®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3 Variant
Výkon - Max
1042W
Dodavatelský balíček zařízení
-
Reverzní doba zotavení (trr)
-
Proud – kolektor (Ic) (Max)
100A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1200V
typ IGBT
PT
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 75A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
300A
Přechod energie
1620µJ (on), 2500µJ (off)
Poplatky za bránu
320nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
20ns/163ns
Zkouška stavu
600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12407 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT75GP120B2G
APT75GP120B2G Elektronické komponenty
APT75GP120B2G Odbyt
APT75GP120B2G Dodavatel
APT75GP120B2G Distributor
APT75GP120B2G Datová tabulka
APT75GP120B2G Fotky
APT75GP120B2G Cena
APT75GP120B2G Nabídka
APT75GP120B2G Nejnižší cena
APT75GP120B2G Vyhledávání
APT75GP120B2G Nákup
APT75GP120B2G Chip