Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT80M60J
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
Číslo dílu
APT80M60J
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
600nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
24000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20141 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT80M60J
APT80M60J Elektronické komponenty
APT80M60J Odbyt
APT80M60J Dodavatel
APT80M60J Distributor
APT80M60J Datová tabulka
APT80M60J Fotky
APT80M60J Cena
APT80M60J Nabídka
APT80M60J Nejnižší cena
APT80M60J Vyhledávání
APT80M60J Nákup
APT80M60J Chip