Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT80SM120J
POWER MOSFET - SIC
Číslo dílu
APT80SM120J
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227
Ztráta energie (max.)
273W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
VGS (max.)
+25V, -10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52651 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT80SM120J
APT80SM120J Elektronické komponenty
APT80SM120J Odbyt
APT80SM120J Dodavatel
APT80SM120J Distributor
APT80SM120J Datová tabulka
APT80SM120J Fotky
APT80SM120J Cena
APT80SM120J Nabídka
APT80SM120J Nejnižší cena
APT80SM120J Vyhledávání
APT80SM120J Nákup
APT80SM120J Chip