Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT80SM120S
POWER MOSFET - SIC
Číslo dílu
APT80SM120S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D3Pak
Ztráta energie (max.)
625W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
VGS (max.)
+25V, -10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12648 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT80SM120S
APT80SM120S Elektronické komponenty
APT80SM120S Odbyt
APT80SM120S Dodavatel
APT80SM120S Distributor
APT80SM120S Datová tabulka
APT80SM120S Fotky
APT80SM120S Cena
APT80SM120S Nabídka
APT80SM120S Nejnižší cena
APT80SM120S Vyhledávání
APT80SM120S Nákup
APT80SM120S Chip