Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT9F100B
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Číslo dílu
APT9F100B
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 [B]
Ztráta energie (max.)
337W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2606pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21510 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT9F100B
APT9F100B Elektronické komponenty
APT9F100B Odbyt
APT9F100B Dodavatel
APT9F100B Distributor
APT9F100B Datová tabulka
APT9F100B Fotky
APT9F100B Cena
APT9F100B Nabídka
APT9F100B Nejnižší cena
APT9F100B Vyhledávání
APT9F100B Nákup
APT9F100B Chip