BSH111BKR
MOSFET N-CH 55V SOT-23
Číslo dílu
BSH111BKR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-236AB (SOT23)
Ztráta energie (max.)
302mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
210mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49256 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSH111BKR
BSH111BKR Elektronické komponenty
BSH111BKR Odbyt
BSH111BKR Dodavatel
BSH111BKR Distributor
BSH111BKR Datová tabulka
BSH111BKR Fotky
BSH111BKR Cena
BSH111BKR Nabídka
BSH111BKR Nejnižší cena
BSH111BKR Vyhledávání
BSH111BKR Nákup
BSH111BKR Chip