NX7002BKMBYL
MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B
Číslo dílu
NX7002BKMBYL
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-XFDFN
Dodavatelský balíček zařízení
3-DFN1006B (0.6x1)
Ztráta energie (max.)
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.8 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
23.6pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33921 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NX7002BKMBYL
NX7002BKMBYL Elektronické komponenty
NX7002BKMBYL Odbyt
NX7002BKMBYL Dodavatel
NX7002BKMBYL Distributor
NX7002BKMBYL Datová tabulka
NX7002BKMBYL Fotky
NX7002BKMBYL Cena
NX7002BKMBYL Nabídka
NX7002BKMBYL Nejnižší cena
NX7002BKMBYL Vyhledávání
NX7002BKMBYL Nákup
NX7002BKMBYL Chip