PHB191NQ06LT,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Číslo dílu
PHB191NQ06LT,118
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95.6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7665pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52377 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PHB191NQ06LT,118
PHB191NQ06LT,118 Elektronické komponenty
PHB191NQ06LT,118 Odbyt
PHB191NQ06LT,118 Dodavatel
PHB191NQ06LT,118 Distributor
PHB191NQ06LT,118 Datová tabulka
PHB191NQ06LT,118 Fotky
PHB191NQ06LT,118 Cena
PHB191NQ06LT,118 Nabídka
PHB191NQ06LT,118 Nejnižší cena
PHB191NQ06LT,118 Vyhledávání
PHB191NQ06LT,118 Nákup
PHB191NQ06LT,118 Chip