PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Číslo dílu
PMDXB600UNEZ
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-XFDFN Exposed Pad
Výkon - Max
265mW
Dodavatelský balíček zařízení
6-DFN (1.1x1)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
600mA
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
21.3pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21780 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMDXB600UNEZ
PMDXB600UNEZ Elektronické komponenty
PMDXB600UNEZ Odbyt
PMDXB600UNEZ Dodavatel
PMDXB600UNEZ Distributor
PMDXB600UNEZ Datová tabulka
PMDXB600UNEZ Fotky
PMDXB600UNEZ Cena
PMDXB600UNEZ Nabídka
PMDXB600UNEZ Nejnižší cena
PMDXB600UNEZ Vyhledávání
PMDXB600UNEZ Nákup
PMDXB600UNEZ Chip