PMPB20XNEAX
MOSFET N-CH 20V SOT1220
Číslo dílu
PMPB20XNEAX
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-DFN2020MD (2x2)
Ztráta energie (max.)
460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45623 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMPB20XNEAX
PMPB20XNEAX Elektronické komponenty
PMPB20XNEAX Odbyt
PMPB20XNEAX Dodavatel
PMPB20XNEAX Distributor
PMPB20XNEAX Datová tabulka
PMPB20XNEAX Fotky
PMPB20XNEAX Cena
PMPB20XNEAX Nabídka
PMPB20XNEAX Nejnižší cena
PMPB20XNEAX Vyhledávání
PMPB20XNEAX Nákup
PMPB20XNEAX Chip