PMPB215ENEAX
MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
Číslo dílu
PMPB215ENEAX
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
DFN2020MD-6
Ztráta energie (max.)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
230 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
215pF @ 40V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16619 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMPB215ENEAX
PMPB215ENEAX Elektronické komponenty
PMPB215ENEAX Odbyt
PMPB215ENEAX Dodavatel
PMPB215ENEAX Distributor
PMPB215ENEAX Datová tabulka
PMPB215ENEAX Fotky
PMPB215ENEAX Cena
PMPB215ENEAX Nabídka
PMPB215ENEAX Nejnižší cena
PMPB215ENEAX Vyhledávání
PMPB215ENEAX Nákup
PMPB215ENEAX Chip