Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PMPB55ENEAX
MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD
Číslo dílu
PMPB55ENEAX
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-DFN2020MD (2x2)
Ztráta energie (max.)
1.65W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
56 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8029 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMPB55ENEAX
PMPB55ENEAX Elektronické komponenty
PMPB55ENEAX Odbyt
PMPB55ENEAX Dodavatel
PMPB55ENEAX Distributor
PMPB55ENEAX Datová tabulka
PMPB55ENEAX Fotky
PMPB55ENEAX Cena
PMPB55ENEAX Nabídka
PMPB55ENEAX Nejnižší cena
PMPB55ENEAX Vyhledávání
PMPB55ENEAX Nákup
PMPB55ENEAX Chip