PMV120ENEAR
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Číslo dílu
PMV120ENEAR
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-236AB (SOT23)
Ztráta energie (max.)
513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
123 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
275pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15043 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMV120ENEAR
PMV120ENEAR Elektronické komponenty
PMV120ENEAR Odbyt
PMV120ENEAR Dodavatel
PMV120ENEAR Distributor
PMV120ENEAR Datová tabulka
PMV120ENEAR Fotky
PMV120ENEAR Cena
PMV120ENEAR Nabídka
PMV120ENEAR Nejnižší cena
PMV120ENEAR Vyhledávání
PMV120ENEAR Nákup
PMV120ENEAR Chip