Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PMV130ENEA/DG/B2R
MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Číslo dílu
PMV130ENEA/DG/B2R
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Obsolete
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-236AB
Ztráta energie (max.)
5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43376 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMV130ENEA/DG/B2R
PMV130ENEA/DG/B2R Elektronické komponenty
PMV130ENEA/DG/B2R Odbyt
PMV130ENEA/DG/B2R Dodavatel
PMV130ENEA/DG/B2R Distributor
PMV130ENEA/DG/B2R Datová tabulka
PMV130ENEA/DG/B2R Fotky
PMV130ENEA/DG/B2R Cena
PMV130ENEA/DG/B2R Nabídka
PMV130ENEA/DG/B2R Nejnižší cena
PMV130ENEA/DG/B2R Vyhledávání
PMV130ENEA/DG/B2R Nákup
PMV130ENEA/DG/B2R Chip