PMV280ENEAR
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Číslo dílu
PMV280ENEAR
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-236AB
Ztráta energie (max.)
580mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
385 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 50V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46026 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMV280ENEAR
PMV280ENEAR Elektronické komponenty
PMV280ENEAR Odbyt
PMV280ENEAR Dodavatel
PMV280ENEAR Distributor
PMV280ENEAR Datová tabulka
PMV280ENEAR Fotky
PMV280ENEAR Cena
PMV280ENEAR Nabídka
PMV280ENEAR Nejnižší cena
PMV280ENEAR Vyhledávání
PMV280ENEAR Nákup
PMV280ENEAR Chip