Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PMV45EN2R
MOSFET N-CH 30V SOT23
Číslo dílu
PMV45EN2R
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-236AB (SOT23)
Ztráta energie (max.)
510mW (Ta), 5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
209pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52332 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMV45EN2R
PMV45EN2R Elektronické komponenty
PMV45EN2R Odbyt
PMV45EN2R Dodavatel
PMV45EN2R Distributor
PMV45EN2R Datová tabulka
PMV45EN2R Fotky
PMV45EN2R Cena
PMV45EN2R Nabídka
PMV45EN2R Nejnižší cena
PMV45EN2R Vyhledávání
PMV45EN2R Nákup
PMV45EN2R Chip