Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PSMN057-200B,118
MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
Číslo dílu
PSMN057-200B,118
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
57 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
96nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3750pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17522 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN057-200B,118
PSMN057-200B,118 Elektronické komponenty
PSMN057-200B,118 Odbyt
PSMN057-200B,118 Dodavatel
PSMN057-200B,118 Distributor
PSMN057-200B,118 Datová tabulka
PSMN057-200B,118 Fotky
PSMN057-200B,118 Cena
PSMN057-200B,118 Nabídka
PSMN057-200B,118 Nejnižší cena
PSMN057-200B,118 Vyhledávání
PSMN057-200B,118 Nákup
PSMN057-200B,118 Chip