PSMN102-200Y,115
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Číslo dílu
PSMN102-200Y,115
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-100, SOT-669
Dodavatelský balíček zařízení
LFPAK56, Power-SO8
Ztráta energie (max.)
113W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
102 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1568pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17793 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN102-200Y,115
PSMN102-200Y,115 Elektronické komponenty
PSMN102-200Y,115 Odbyt
PSMN102-200Y,115 Dodavatel
PSMN102-200Y,115 Distributor
PSMN102-200Y,115 Datová tabulka
PSMN102-200Y,115 Fotky
PSMN102-200Y,115 Cena
PSMN102-200Y,115 Nabídka
PSMN102-200Y,115 Nejnižší cena
PSMN102-200Y,115 Vyhledávání
PSMN102-200Y,115 Nákup
PSMN102-200Y,115 Chip