PSMN130-200D,118
MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
Číslo dílu
PSMN130-200D,118
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2470pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47093 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN130-200D,118
PSMN130-200D,118 Elektronické komponenty
PSMN130-200D,118 Odbyt
PSMN130-200D,118 Dodavatel
PSMN130-200D,118 Distributor
PSMN130-200D,118 Datová tabulka
PSMN130-200D,118 Fotky
PSMN130-200D,118 Cena
PSMN130-200D,118 Nabídka
PSMN130-200D,118 Nejnižší cena
PSMN130-200D,118 Vyhledávání
PSMN130-200D,118 Nákup
PSMN130-200D,118 Chip