Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PSMN2R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Číslo dílu
PSMN2R0-30YLDX
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-100, SOT-669
Dodavatelský balíček zařízení
LFPAK56, Power-SO8
Ztráta energie (max.)
142W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2969pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24089 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN2R0-30YLDX
PSMN2R0-30YLDX Elektronické komponenty
PSMN2R0-30YLDX Odbyt
PSMN2R0-30YLDX Dodavatel
PSMN2R0-30YLDX Distributor
PSMN2R0-30YLDX Datová tabulka
PSMN2R0-30YLDX Fotky
PSMN2R0-30YLDX Cena
PSMN2R0-30YLDX Nabídka
PSMN2R0-30YLDX Nejnižší cena
PSMN2R0-30YLDX Vyhledávání
PSMN2R0-30YLDX Nákup
PSMN2R0-30YLDX Chip