PSMN3R8-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Číslo dílu
PSMN3R8-100BS,118
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
306W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9900pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45033 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN3R8-100BS,118
PSMN3R8-100BS,118 Elektronické komponenty
PSMN3R8-100BS,118 Odbyt
PSMN3R8-100BS,118 Dodavatel
PSMN3R8-100BS,118 Distributor
PSMN3R8-100BS,118 Datová tabulka
PSMN3R8-100BS,118 Fotky
PSMN3R8-100BS,118 Cena
PSMN3R8-100BS,118 Nabídka
PSMN3R8-100BS,118 Nejnižší cena
PSMN3R8-100BS,118 Vyhledávání
PSMN3R8-100BS,118 Nákup
PSMN3R8-100BS,118 Chip