PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V D2PAK
Číslo dílu
PSMN4R8-100BSEJ
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
405W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
278nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31682 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN4R8-100BSEJ
PSMN4R8-100BSEJ Elektronické komponenty
PSMN4R8-100BSEJ Odbyt
PSMN4R8-100BSEJ Dodavatel
PSMN4R8-100BSEJ Distributor
PSMN4R8-100BSEJ Datová tabulka
PSMN4R8-100BSEJ Fotky
PSMN4R8-100BSEJ Cena
PSMN4R8-100BSEJ Nabídka
PSMN4R8-100BSEJ Nejnižší cena
PSMN4R8-100BSEJ Vyhledávání
PSMN4R8-100BSEJ Nákup
PSMN4R8-100BSEJ Chip