Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PSMN5R0-100ES,127
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Číslo dílu
PSMN5R0-100ES,127
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
338W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9900pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6073 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN5R0-100ES,127
PSMN5R0-100ES,127 Elektronické komponenty
PSMN5R0-100ES,127 Odbyt
PSMN5R0-100ES,127 Dodavatel
PSMN5R0-100ES,127 Distributor
PSMN5R0-100ES,127 Datová tabulka
PSMN5R0-100ES,127 Fotky
PSMN5R0-100ES,127 Cena
PSMN5R0-100ES,127 Nabídka
PSMN5R0-100ES,127 Nejnižší cena
PSMN5R0-100ES,127 Vyhledávání
PSMN5R0-100ES,127 Nákup
PSMN5R0-100ES,127 Chip