PSMN6R1-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK
Číslo dílu
PSMN6R1-30YLDX
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-100, SOT-669
Dodavatelský balíček zařízení
LFPAK56, Power-SO8
Ztráta energie (max.)
47W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
817pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9634 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN6R1-30YLDX
PSMN6R1-30YLDX Elektronické komponenty
PSMN6R1-30YLDX Odbyt
PSMN6R1-30YLDX Dodavatel
PSMN6R1-30YLDX Distributor
PSMN6R1-30YLDX Datová tabulka
PSMN6R1-30YLDX Fotky
PSMN6R1-30YLDX Cena
PSMN6R1-30YLDX Nabídka
PSMN6R1-30YLDX Nejnižší cena
PSMN6R1-30YLDX Vyhledávání
PSMN6R1-30YLDX Nákup
PSMN6R1-30YLDX Chip