PSMN8R2-80YS,115
MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
Číslo dílu
PSMN8R2-80YS,115
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-100, SOT-669
Dodavatelský balíček zařízení
LFPAK56, Power-SO8
Ztráta energie (max.)
130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3640pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44024 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN8R2-80YS,115
PSMN8R2-80YS,115 Elektronické komponenty
PSMN8R2-80YS,115 Odbyt
PSMN8R2-80YS,115 Dodavatel
PSMN8R2-80YS,115 Distributor
PSMN8R2-80YS,115 Datová tabulka
PSMN8R2-80YS,115 Fotky
PSMN8R2-80YS,115 Cena
PSMN8R2-80YS,115 Nabídka
PSMN8R2-80YS,115 Nejnižší cena
PSMN8R2-80YS,115 Vyhledávání
PSMN8R2-80YS,115 Nákup
PSMN8R2-80YS,115 Chip