Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PSMN8R5-100ESFQ
MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK
Číslo dílu
PSMN8R5-100ESFQ
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3, Short Tab
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
183W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
97A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3181pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
7V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23205 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN8R5-100ESFQ
PSMN8R5-100ESFQ Elektronické komponenty
PSMN8R5-100ESFQ Odbyt
PSMN8R5-100ESFQ Dodavatel
PSMN8R5-100ESFQ Distributor
PSMN8R5-100ESFQ Datová tabulka
PSMN8R5-100ESFQ Fotky
PSMN8R5-100ESFQ Cena
PSMN8R5-100ESFQ Nabídka
PSMN8R5-100ESFQ Nejnižší cena
PSMN8R5-100ESFQ Vyhledávání
PSMN8R5-100ESFQ Nákup
PSMN8R5-100ESFQ Chip