Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PSMN8R9-100BSEJ
PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
Číslo dílu
PSMN8R9-100BSEJ
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
296W
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
108A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
128nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7.11nF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9070 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PSMN8R9-100BSEJ
PSMN8R9-100BSEJ Elektronické komponenty
PSMN8R9-100BSEJ Odbyt
PSMN8R9-100BSEJ Dodavatel
PSMN8R9-100BSEJ Distributor
PSMN8R9-100BSEJ Datová tabulka
PSMN8R9-100BSEJ Fotky
PSMN8R9-100BSEJ Cena
PSMN8R9-100BSEJ Nabídka
PSMN8R9-100BSEJ Nejnižší cena
PSMN8R9-100BSEJ Vyhledávání
PSMN8R9-100BSEJ Nákup
PSMN8R9-100BSEJ Chip