Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PHD18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Číslo dílu
PHD18NQ10T,118
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
633pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8541 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PHD18NQ10T,118
PHD18NQ10T,118 Elektronické komponenty
PHD18NQ10T,118 Odbyt
PHD18NQ10T,118 Dodavatel
PHD18NQ10T,118 Distributor
PHD18NQ10T,118 Datová tabulka
PHD18NQ10T,118 Fotky
PHD18NQ10T,118 Cena
PHD18NQ10T,118 Nabídka
PHD18NQ10T,118 Nejnižší cena
PHD18NQ10T,118 Vyhledávání
PHD18NQ10T,118 Nákup
PHD18NQ10T,118 Chip