PMDPB42UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Číslo dílu
PMDPB42UN,115
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Výkon - Max
510mW
Dodavatelský balíček zařízení
DFN2020-6
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.9A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
185pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48146 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115 Elektronické komponenty
PMDPB42UN,115 Odbyt
PMDPB42UN,115 Dodavatel
PMDPB42UN,115 Distributor
PMDPB42UN,115 Datová tabulka
PMDPB42UN,115 Fotky
PMDPB42UN,115 Cena
PMDPB42UN,115 Nabídka
PMDPB42UN,115 Nejnižší cena
PMDPB42UN,115 Vyhledávání
PMDPB42UN,115 Nákup
PMDPB42UN,115 Chip