FDC6301N
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Číslo dílu
FDC6301N
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Výkon - Max
700mW
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT™-6
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
220mA
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9.5pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8871 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDC6301N
FDC6301N Elektronické komponenty
FDC6301N Odbyt
FDC6301N Dodavatel
FDC6301N Distributor
FDC6301N Datová tabulka
FDC6301N Fotky
FDC6301N Cena
FDC6301N Nabídka
FDC6301N Nejnižší cena
FDC6301N Vyhledávání
FDC6301N Nákup
FDC6301N Chip