FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
Číslo dílu
FDC6401N
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Výkon - Max
700mW
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT™-6
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
70 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
324pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33209 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDC6401N
FDC6401N Elektronické komponenty
FDC6401N Odbyt
FDC6401N Dodavatel
FDC6401N Distributor
FDC6401N Datová tabulka
FDC6401N Fotky
FDC6401N Cena
FDC6401N Nabídka
FDC6401N Nejnižší cena
FDC6401N Vyhledávání
FDC6401N Nákup
FDC6401N Chip